O IRF540 é um dispositivo de potência de silício de canal N-MOSFET (metal-óxido-semicondutor de efeito de campo) fabricado pela International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies). Ele é projetado para ser usado em aplicações de potência, como inversores, convertidores CC-CC, controladores de carga, etc. Ele tem uma tensão de ruptura de 1000V, corrente de dreno máxima de 33A e uma capacitância de dreno-fonte máxima de 860pF. Ele é geralmente encontrado em pacotes de encapsulamento de quatro terminais, como o TO-220, e é projetado para ser usado em conjunto com dissipadores de calor para garantir o desempenho adequado em condições de alta corrente.
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